半導(dǎo)體擴(kuò)產(chǎn)競(jìng)賽火熱化 又一大廠砸170億美元擴(kuò)產(chǎn)

              2021-11-25 07:36:42    來(lái)源:第一財(cái)經(jīng)日?qǐng)?bào)

              作者: 來(lái)莎莎

              [ 存儲(chǔ)巨頭美光科技宣布,將于未來(lái)十年內(nèi),在存儲(chǔ)器制造和研發(fā)上投入超過(guò)1500億美元。 ]

              全球半導(dǎo)體代工廠你追我趕,擴(kuò)產(chǎn)“軍備競(jìng)賽”進(jìn)一步火熱化。繼臺(tái)積電之后,全球半導(dǎo)體龍頭三星電子也將在美國(guó)擴(kuò)產(chǎn)。

              11月24日,三星電子正式宣布,將在得克薩斯州泰勒市新建一半導(dǎo)體制造工廠,投資規(guī)模高達(dá)170億美元。

              芯片制造業(yè)加大投資

              三星電子表示,170億美元的投資包括場(chǎng)地、物業(yè)改善、機(jī)器設(shè)備,該廠將成為三星在美國(guó)有史以來(lái)最大的投資,也將使三星在美國(guó)的總投資超過(guò)470億美元。

              新廠將于2022年上半年破土動(dòng)工,目標(biāo)是在2024年下半年投入運(yùn)營(yíng)。泰勒工廠占地超過(guò) 500萬(wàn)平方米,預(yù)計(jì)將和韓國(guó)平澤市的最新生產(chǎn)線一起,成為三星半導(dǎo)體制造能力的關(guān)鍵產(chǎn)地。

              新工廠將生產(chǎn)基于先進(jìn)工藝技術(shù)的產(chǎn)品,應(yīng)用于移動(dòng)、5G、高性能計(jì)算 (HPC) 和人工智能等領(lǐng)域。

              臺(tái)積電和三星除了在制造工藝上競(jìng)爭(zhēng)激烈,兩者也在加大全球各地的布局。目前,全球各地政府為了保障供應(yīng)鏈安全,要求晶圓廠增加本土制造,美國(guó)更是出臺(tái)相關(guān)法案,將釋放 540億美元用于激勵(lì)在美國(guó)進(jìn)行半導(dǎo)體生產(chǎn)和研究。

              就在2020年,臺(tái)積電宣布,計(jì)劃斥資120億美元在美國(guó)亞利桑那州建造一座5納米芯片工廠。首批美國(guó)雇傭的工程師在今年4月下旬已經(jīng)抵達(dá)中國(guó)臺(tái)灣,接受5納米技術(shù)培訓(xùn)。

              臺(tái)積電預(yù)計(jì),美國(guó)工廠的半導(dǎo)體設(shè)備將在2022年下半年進(jìn)廠,5納米一期月產(chǎn)2萬(wàn)片晶圓的項(xiàng)目將于2024年開(kāi)始量產(chǎn)。

              臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音在中期業(yè)績(jī)上表示。

              不過(guò),據(jù)第一財(cái)經(jīng)了解,臺(tái)積電的美國(guó)工廠進(jìn)展并不算順利。有臺(tái)積電員工告訴第一財(cái)經(jīng),美國(guó)工程師并不能接受臺(tái)積電的高強(qiáng)度工作節(jié)奏,而且美國(guó)建廠的成本太高。

              有多名美國(guó)工程師在美國(guó)一家人力資源網(wǎng)站上,對(duì)臺(tái)積電的評(píng)價(jià)是“工作時(shí)間太長(zhǎng)”“壓力太大”。

              “軍備競(jìng)賽”火熱化

              今年以來(lái),在持續(xù)的“缺芯”形勢(shì)下,晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)持續(xù)火熱化。

              11月12日,中芯國(guó)際公告稱,中芯控股、國(guó)家集成電路基金二期(下稱“國(guó)家大基金二期”)和海臨微訂立臨港合資協(xié)議,共同成立臨港合資公司,總投資額為88.66億美元。

              10月21日,存儲(chǔ)巨頭美光科技宣布,將于未來(lái)十年內(nèi),在存儲(chǔ)器制造和研發(fā)上投入超過(guò)1500億美元,以滿足2030年對(duì)存儲(chǔ)的需求。

              臺(tái)積電也在10月14日正式宣布,將赴日本設(shè)立晶圓制造廠,預(yù)計(jì)2022年開(kāi)始建廠,2024年開(kāi)始投產(chǎn)。該廠初步規(guī)劃以22/28納米特殊工藝為主。值得注意的是,該項(xiàng)資本開(kāi)支不包含在此前宣布的1000億美金之內(nèi)。

              臺(tái)積電此前宣布三年投1000億美元;臺(tái)聯(lián)電公布1000億新臺(tái)幣(約合35.8億美元)投資案,擴(kuò)充在南科的12英寸廠;三星電子將在2030年前增加對(duì)System LSI和Foundry業(yè)務(wù)領(lǐng)域的投資,投資總額擴(kuò)大至171萬(wàn)億韓元(約1516億美元),以加快先進(jìn)半導(dǎo)體工藝技術(shù)的研究和新生產(chǎn)設(shè)施的建設(shè);英特爾宣布多項(xiàng)擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,一方面擬在美國(guó)亞利桑那州投資約200億美元新建兩座晶圓廠,另一方面希望成為晶圓代工的主要提供商。

              而全球第四大晶圓代工廠也趁“缺芯”順利IPO。10月28日,格芯在納斯達(dá)克證券交易所上市,其首次公開(kāi)募股籌集了近26億美元。這是2021年美國(guó)最大的首次公開(kāi)募股募集資金,也是歷史上最大的半導(dǎo)體IPO。

              格芯CEO湯姆·考菲爾德(Tom Caulfield)在接受媒體采訪時(shí)表示,現(xiàn)在的產(chǎn)能利用率已經(jīng)超100%,公司的晶圓產(chǎn)能到2023年底都已售罄。

              根據(jù)格芯的規(guī)劃,未來(lái)兩年將投入60億美元,用于擴(kuò)大其在新加坡、德國(guó)和美國(guó)工廠的產(chǎn)能。其中,新加坡投資超過(guò)40億美元,德國(guó)和美國(guó)各投資10億美元。

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