近日兆易創新發布了 2020 年年度報告。報告中可以看出兆易創新的主營業務毛利率在降低、在境外地區的主營業務毛利率也在降低。
而兆易創新則表示毛利率下降主要是受 DRAM 產品業務毛利率低的影響。
兆易創新宣稱自有品牌 DRAM 產品預計 2021 年上半年推出，主要面向消費類、工業控制類及車規等利基市場。那么兆易創新能否靠此次推出的 DRAM 產品改變毛利率下降的局面呢?
筆者認為不行：
在存儲芯片領域，兆易創新如果依靠 NOR Flash 提升毛利率效果有限，而目前 NAND Flash 難以與大廠抗衡，只能把希望放在 DRAM 產品上。
在 DRAM 產品方面，兆易創新 目前是一個“代理商”的角色，出售的是合肥長鑫的 DRAM。在芯片行業當“代理商”毛利率低。
根據公告可以推測，今年兆易創新沒打算制造自己設計的 DRAM 芯片。
如果今年不能推出自己設計的 DRAM 芯片，“貼牌”或者“買芯片做模組”毛利率也不是很高，整體毛利率很難提升。
世界第三的 NOR Flash 廠商 兆易創新
2020 年第一季度，旺宏、華邦、兆易創新在 NOR Flash 全球市場占有率排名前三，市場份額分別為 26.2%、24.5%、18.8%。
兆易創新的現有業務布局分為存儲(Flash、DRAM)、MCU 和傳感器，其中存儲芯片營收占比最高。而 NOR Flash 就屬于一種存儲芯片。
NOR Flash 的優勢：應用范圍非常廣，比如汽車電子、IoT、人工智能、路由器、機頂盒、手機、PC、VR、5G 等。
NOR Flash 的劣勢：單價低，一個一般也就幾塊錢。而且一般情況下，一個設備也就用一塊 NOR Flash。在使用數量少和單價低的共同影響下，NOR Flash 的市場價值比起 NAND 之類的存儲芯片明顯小很多，屬于存儲芯片行業的小眾市場。
以業界主流使用的 8MB NOR Flash 為例，售價僅為 3 元左右。對于很多數碼設備來說這樣的價格占總成本中的比重并不高。也因此 NOR Flash 看似參與到了很多行業中，但在存儲器市場中的占比遠低于 DRAM 和 NAND Flash。
因此如果想靠 NOR Flash 拉升毛利率，作用十分有限。
難以抗衡大廠的 NAND Flash 業務
兆易創新的 NAND Flash 產品主要為 SLC NAND，在 NAND Flash 產品方面，目前 SLC NAND 主流工藝節點在 19nm-38nm，兆易創新的成熟工藝節點為 38nm，同時 24nm 工藝節點的產品也已經實現量產。目前正在量產的產品容量從 1Gb 至 8Gb 覆蓋主流容量范圍。
但是，單顆 NAND 如果容量只在 8Gb 的話，對于大容量存儲還是不太夠的。以美光(Micron)的 SLC NAND 為例，美光提供的 SLC NAND 容量從 1Gb 至 256Gb，這顯然是大于兆易創新的 1Gb 至 8Gb。
除了大容量存儲，其實還是有一些小容量存儲使用 NAND 的場景，在這些場景下兆易創新的 NAND 還是可以發揮優勢的。但總體來說 NAND 市場還是屬于像美光、海力士、三星這樣大廠的天下。
自研 DRAM 2021 年未必會出現
兆易創新目前在 DRAM 業務方面是一個“代理商”。兆易創新目前銷售的 DRAM 是合肥長鑫的，兆易創新從 2020 年開始銷售合肥長鑫 DRAM 產品。
早在 2020 年 3 月兆易創新就與長鑫存儲及其各自子公司簽署《框架采購協議》、《代工服務協議》及《產品聯合開發平臺合作協議》日常交易框架協議。
《框架采購協議》就是指兆易創新向合肥長鑫 DRAM 采購 DRAM 產品。而《代工服務協議》則是指合肥長鑫向兆易創新提供代工服務。
兆易創新是一個無廠模式(Fabless)運營的芯片公司，無廠模式簡單來說就是只管芯片設計，不管芯片制造的公司。因此兆易創新想要生產任何芯片都需要找晶圓廠代工。
而此次簽署的《代工服務協議》就是為了以后自研 DRAM 設計完成之后找合肥長鑫進行代工生產。而在之后的補充協議中又將這三大協議的有效期延展到了 2030 年，可以據此推測至少近幾年內兆易創新如果想制造 DRAM 都會找長鑫代工了。
那么為什么說兆易創新自研的 DRAM 2021 年未必會出現呢?
公告中顯示，在 2020 年預計接受代工服務涉及的金額為 0，也就是說 2020 年兆易創新并不打算讓合肥長鑫代工生產芯片。在后續的投資者關系活動中的回答的內容也證明了這點。
在 2020 年 3 月的投資者關系活動記錄表中我們可以找到原因。在其中一條回答中稱“因為公司的 DRAM 產品還沒有研發出來，所以代工業務 2020 年暫時無金額。”
在 2021 年 2 月，兆易創新發布了《關于擬簽署框架采購協議及預計 2021 年度日常關聯交易額度的公告》。
這個公告主要就是為了公示與長鑫日常關聯交易的預計金額，可能有些人也注意到了，此次公示中原來的“三大協議”少了一個，而且少的就是之前金額為 0 的《代工服務協議》。
為什么會少一個《代工服務協議》的預算呢?如果說 2021 年這個協議的預算也為 0，那么沒有這方面的預算確實可以理解。如果有這方面的預算，但是不公示，這種可能性就比較小了。
那么如果《代工服務協議》今年的預算真為 0，那么意味著什么呢?
兆易創新今年沒打算讓長鑫“代工”生產 DRAM 芯片。
這不免讓疑惑，難道今年兆易創新自研的 DRAM 不生產了嗎?而且上年實際從長鑫采購的 DRAM 產品金額為 0.54 億美元，今年就直接預計 3 億美元。兆易創新給出的理由為“市場需求旺盛，市場開拓空間進一步提升，公司備貨水平相應提高”。不過今年如果能如期推出自己的 DRAM 產品，為什么還要去找長鑫加大備貨量呢?賣自己的產品，毛利率還能高一點，不香嗎?因此兆易創新自研 DRAM 2021 年未必會出現。
不過有些細心的人可能會發現，兆易創新基本沒怎么提過“自研”的事。兆易創新無論是在年報上還是在投資者關系活動上，所用的表述都是“自有品牌”。“預計將于 2021 年上半年推出第一顆自有品牌的 DRAM 產品”。
“自有品牌”范圍可就大了，除了“自研”以外，還可以買長鑫的芯片自己做模組，或者買長鑫的產品“貼牌”出售。
如果是買長鑫的芯片自己做模組，買芯片的交易額走的是“采購 Dram 產品”(就預算大幅上漲的那個)，而且做出來的模組確實可以算“自有品牌的 DRAM 產品”。
能破局嗎?
一般來說在芯片行業，代售其它廠家的芯片毛利率始終是不會高的。就像現在兆易創新代售長鑫的 DRAM。而提高毛利率的最簡單途徑，就是自研。如果說 2021 年上半年推出的 DRAM 產品是自研的，比如兆易創新設計，長鑫制造。那么毛利率肯定會提升。但如果只是貼牌或者做模組的話，那毛利率可能就會表現得比較一般了。
補充資料：存儲芯片
作為補充說明，我們來聊聊存儲芯片是如何存儲數據的。在遠古時期，人們可以通過結繩記事的方式記錄信息。而在現代，晶體管出現了，人們可以把大量數據存在芯片里了。
我們來假設一下，在結繩記事的時代，如果繩子的一個地方打一個結，就代表早上吃過飯了。如果這個地方沒有結，那么就說明早上沒吃飯。那么“早上吃沒吃過飯”這個信息就通過簡單的一個結記錄了下來。
而到了現代，數據的基礎很多是用“0”和“1”來構成的。那么如何記錄下 0 和 1 呢?這時候我們肯定不能在芯片里像結繩記事那樣打結，但有類似的方式記錄，比如電壓。電壓高時可以記做 1，電壓低時可以記做 0。
而對應芯片的存儲單元也會被設計成能夠存儲高電壓或者低電壓信息的結構，就像結繩記事里的結。
在如圖所示的結構中，如果我們把電荷放在存儲單元的存儲電容器中，這就可以使晶體管導電，電荷傳至位線，使電壓上升。這時就是高電壓狀態，表示數據為“1”。
注：除了電壓以外還可以通過：磁、電阻等介質來存儲信息。
而根據存儲的具體方式不同，存儲芯片又能分成很多種類。NOR Flash、NAND Flash 和 DRAM 是三種不同的存儲芯片，其中 NOR Flash、NAND Flash 屬于非易失性存儲芯片，DRAM 屬于易失性存儲芯片。
簡單來說兩者的區別在于斷電之后能否保存數據。易失性存儲斷電之后不能保存數據，里面的數據只能臨時存放。以電腦上的內存條為例，內存條上的存儲顆粒就屬于 DRAM。
而非易失性存儲的特點就是斷電之后依舊能保存數據，里面的數據可以長期存儲。以電腦上的固態硬盤為例，固態硬盤上的存儲顆粒大多為 NAND Flash。
NAND Flash 可以再細分成 SLC(Single-Level Cell)、MLC(Multi-Level Cell)、TLC(Trinary-Level Cell)、QLC(Quad-Level Cell)等。就像我們平時說買一塊 TLC 的固態，TLC 指的就是固態硬盤所用的 NAND Flash 類型為 TLC。
另一種非易失性存儲是 NOR Flash ，NOR Flash 一次讀寫一個字或字節的數據，因此能夠對各地址執行隨機存取。而 NAND Flash 芯片的尺寸比 NOR Flash 小，能夠實現更高的存儲密度，使存儲容量更大，且制造成本更低。因此 NAND Flash 已成為大容量存儲設備的主流選擇，除了前文提到的固態硬盤，還有 U 盤、SD 卡等。而 NOR Flash 則一般用于存儲一些小數據，比如配置信息。電腦主板中的 BIOS 信息就會存儲在 NOR Flash 中。
