明年的高通驍龍、海思麒麟、三星獵戶座、聯發科天璣四大廠商的的主力旗艦芯片和中端芯片全員將采用 1+3+4 架構設計。
高通方面，此前已有大量爆料顯示該芯片將采用 “1+3+4”八核心設計，具體為1 個 2.84GHz 超大核心Cortex X1、 3 個 2.42GHz 的 A78 內核，以及 4 個 1.8GHz 的 A55 內核。而通過此前泄露的跑分測試來看，驍龍 875 的測試成績仍將保持安卓 SoC 第一梯隊性能。驍龍 885 方面尚未有爆料信息，該博主所指較大可能為驍龍 875，該芯片有望于 12 月 1 日或 2 日正式發布，屆時IT之家將帶來更多報道。
海思方面，雖然不清楚之后的排期和命名等信息，但海思方面極大可能仍將迭代推出新的麒麟芯片，例如麒麟 10000，成品制造方面先不考慮，架構設計方面應該也將會是第一梯隊水平。
三星方面，此前多次爆料的Exynos 2100 性能表明該芯片不一定輸其他同期產品。雖然之前多數爆料偏向于驍龍 875 是這一代唯一的采用 ARM Cortex-X1 內核的產品，但后來有可靠爆料者表示 Exynos 2100 也將采用 ARM Cortex-X1 架構。此外，E2100 也將配備具有 14 個圖形內核的 ARM Mali-G78 GPU，性能值得期待。
聯發科方面，天璣 1000 系列續作仍沒有消息傳出，但無論怎樣更迭，天璣 1000 系列性能和基帶在目前業界的水準依然是頂流，因此只要聯發科方面按部就班的迭代更新，性能方面自然會有更值得期待的看點。
