半導體設備廠商拓荊科技股份有限公司(以下簡稱“拓荊科技”)申報科創板 IPO 已獲受理。拓荊科技主營業務為半導體薄膜沉積設備的研發、生產和銷售，其主要產品包括等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備、原子層沉積(ALD)設備和次常壓化學氣相沉積(SACVD)設備三個系列。
目前拓荊科技的產品已廣泛應用于國內的 28/14nm 邏輯芯片、19/17nm DRAM 芯片和 64/128 層 3D NAND FLASH 晶圓制造產線，并開始了 10nm 及以下制程產品驗證測試。
在半導體制程中，為了對所使用的材料賦與某種特性，在材料表面上常以各種方法形成薄膜而加以使用，這種薄膜形成的過程一般稱為薄膜沉積。半導體薄膜沉積設備和光刻機、刻蝕機一樣，是芯片制造的三大主設備。
2018 年-2020 年，拓荊科技營收增長較快，從 7064.4 萬元增長至 4.36 億元，復合增長率達 148.32%。
本次 IPO 拓荊科技計劃募資 10 億元，計劃分別用于高端半導體設備擴產、先進半導體設備的技術研發與改進、ALD 設備研發與產業化和補充流動資金 4 個項目。
國家集成電路基金為拓荊科技第一大股東，所占股份比例為 26.48%。由于最近 2 年內，拓荊科技第一大股東所持股權比例不足控股，其他股東持股比例相對分散，所以拓荊科技不存在控股股東。2019 年 1 月 1 日至今，拓荊科技無實際控制人。
01. 2019 年營收增長 255%，中芯國際、華虹集團、長江存儲為主要客戶
報告期內，2018 年-2020 年拓荊科技營業收入分別為 7064.40 萬元、2.51 億元和 4.36 億元，2021 年第一季度其營收為 5774.10 萬元。2019 年和 2020 年拓荊科技營收較上年同期增幅分別為 255.66% 和 73.38%。
凈利潤方面，拓荊科技至今仍在持續虧損，但虧損金額有所減少。2018 年-2020 年拓荊科技凈利潤分別為-1.03 億元、-1936.64 萬元和-1087.57 萬元，2021 年第一季度凈利潤為-944.59 萬元。
報告期內，拓荊科技 2018 年-2021 年第一季度各期研發費用分別為 1.08 億元、7431.87 萬元、1.23 億元和 2714.86 萬元，占各期營業收入的比例分別為 152.84%、29.58%、28.19% 和 47.02%。較大的研發投入是拓荊科技虧損的主要原因之一。
拓荊科技產品主要分為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備、原子層沉積(ALD)設備和次常壓化學氣相沉積(SACVD)設備三個系列。報告期內 PECVD 設備收入占總營收比例一直超過 75%，業務收入增速也較快，是拓荊科技的主要收入來源。
2018 年、2019 年、2020 年和 2021 年第一季度 PECVD 設備收入占拓荊科技總營收比例分別為 77.98%、100%、97.55% 和 100%。另外兩項業務仍處于市場開拓階段，2021 年第一季度 2 項業務收入為 0。
從銷售情況來說，拓荊科技客戶較為集中。其 PECVD 設備的主要客戶有中芯國際、華虹集團、長江存儲和重慶萬國半導體科技有限公司;ALD 設備主要客戶為上海集成電路研發中心有限公司(ICRD);SACVD 設備的主要客戶則是北京燕東微電子科技有限公司。
其中，中芯國際、華虹集團和長江存儲從 2018 年至 2021 年第一季度一直為拓荊科技前五大客戶。
在供應方面，拓荊科技采購的原材料主要包括機械類、機電一體類、電氣類、氣體輸送系統、真空系統和附屬設備等。
報告期內，拓荊科技前五大供應商變動較小，2018 年至今 7 家廠商曾是拓荊科技的前五大供應商。
02. 產品總體性能已達國際同類水平，研發人員占比超 4 成
從市場上來看，全球半導體薄膜沉積設備市場主要由美國應用材料、美國泛林半導體、日本東京電子、荷蘭先晶半導體等企業占據主導地位。
招股書顯示，2019 年，在全球化學氣相沉積(CVD)設備市場中，應用材料、泛林半導體、東京電子的市場占有率分別為 30%、21% 和 19%;在 ALD 設備全球市場中，東京電子(TEL)、先晶半導體(ASMI)的市場占有率分別為 31% 和 29%。
相比于上述公司，拓荊科技在營收、毛利率和凈利潤等盈利指標上存在較大差距，在融資渠道和研發經費上相對不足。此外，拓荊科技的業務收入也比較集中，相對外國半導體設備巨頭來說企業認知度不足，面臨一定的市場進入壁壘。
另一方面來看，拓荊科技已形成覆蓋 20 余種工藝型號的薄膜沉積設備，滿足晶圓制造產線多種工藝需求。其產品總體性能和關鍵性能參數已達到國際同類設備水平。
這樣的產品性能離不開研發團隊的努力和企業的技術積累。
在研發團隊方面，拓荊科技研發人員共有 142 人，占公司員工總數的 43.56%。其核心技術人員有公司創始人兼董事姜謙、董事長呂光泉、總經理田曉明、副總經理張孝勇、副總經理周堅、監事會主席兼資深技術總監葉五毛和產品部總監寧建平等 7 人。
其中，姜謙和田曉明擁有 35 年的半導體設備行業經驗，呂光泉則具有 27 年的高端半導體設備行業研發、管理經驗。3 人都是美國國籍。
姜謙曾在美國布蘭迪斯大學獲博士學位。1982 年 1 月至 1984 年 6 月，姜謙任麻省理工學院材料科學工程中心研究員。1984 年 7 月，姜謙于英特爾就職，歷任工程師、研究員、項目經理、部門經理等多個職位。此后他在美國諾發、欣欣科技(沈陽)有限公司擔任過副總裁和執行董事職務。2010 年 4 月至今，姜謙任職于拓荊科技。
呂光泉為美國加州大學圣地亞哥分校博士，1994 年 8 月至 1996 年 4 月，他任美國科學基金會尖端電子材料研究中心電子材料副研究員;1996 年 4 月至 2007 年 7 月，呂光泉就職于美國諾發，歷任高級工程師、PECVD 工藝研發部經理、項目主任兼工藝研發高級經理、ALD 技術高級經理;2007 年 7 月至 2014 年 8 月，他就職于德國愛思強公司。2014 年 9 月至今，呂光泉于拓荊科技任職。
田曉明則有美國東北大學電子工程學碩士和新加坡南洋理工大學工商管理碩士學位。1991 年 9 月至 1994 年 12 月，田曉明任美國 Codi Semiconductor,Inc. 工藝開發經理;1994 年 12 月至 2008 年 10 月，他就職于泛林半導體，擔任過資深工藝工程師、資深工藝研發經理、資深大客戶經理、中國區技術總監等職位;2008 年 10 月至 2018 年 2 月，田曉明為尼康精機(上海)有限公司資深副總裁;此后，田曉明就職于拓荊科技。
技術積累方面，拓荊科技，在機臺結構、傳動模塊、反應腔體、關鍵結構件、氣路、溫度控制系統等方面，形成了一系列自研設計，構建了較為完善的知識產權體系。截至招股書簽署日，拓荊科技累計已獲授權的專利 167 項，其中發明專利共計 86 項。
03. 大基金為第一大股東，中微董事長尹志堯任董事
根據招股書，本茨發行前拓荊科技的前三大股東分別為國家集成電路基金、國投上海和中微半導體，其所持股份比例分別為 26.48%、18.23% 和 11.20%。中微半導體也提名了其董事長兼總經理尹志堯作為拓荊科技董事。
其余持股超過 5% 的股東還有嘉興君勵和潤揚嘉禾，持股比例分別為 7.39% 和 6.57%。
04. 結語：收入來源較為單一，盈利周期仍不確定
在新建晶圓廠中，薄膜沉積設備作為晶圓制造的關鍵一環，其投資規模占晶圓制造設備總投資的 25% 左右。當前，全球薄膜沉積設備市場份額被應用材料、泛林半導體、東京電子等行業巨頭所占據。
拓荊科技作為我國薄膜沉積設備頭部廠商之一，基本上代表了我國 PECVD 等產品的水平。其 IPO 如果能夠成功，對我國薄膜沉積設備產業技術實力有著積極影響。但值得注意的是，拓荊科技當前收入較為依賴 PECVD 設備，ALD、SACVD 設備處于市場開拓階段，盈利周期有著不確定性。
