隨著閃存的發(fā)展，如今廉價(jià)、大容量的SSD幾乎都要上QLC閃存了，這讓消費(fèi)者很不爽，因?yàn)镼LC閃存不僅可靠性差，而且性能也慢很多，沒(méi)有緩存加速的時(shí)候，性能甚至跑不過(guò)HDD機(jī)械硬盤。
QLC閃存性能差是先天性的，如果用光了緩存容量空間，現(xiàn)在的QLC閃存真實(shí)寫入速度也就100MB/s，三星的870 QVO硬盤之前有人實(shí)測(cè)過(guò)，拷貝文件的速度也就160MB/s，這個(gè)速度甚至還不如一些HDD機(jī)械盤快。
三星也注意到這個(gè)問(wèn)題了，未來(lái)也會(huì)重點(diǎn)關(guān)注QLC閃存的性能，目前他們使用的QLC閃存主要還是96層堆棧的V5 QLC，明年會(huì)跳過(guò)V6 QLC，直接進(jìn)入176層的V6 QLC閃存時(shí)代。
根據(jù)三星所說(shuō)，新一代QLC閃存性能好得多，寫入速度2.7倍、讀取速度也有2.6倍，不過(guò)這是針對(duì)V4 QLC閃存的，相比現(xiàn)在的V5 QLC大概能提升一倍，意味著寫入性能可提升到320MB/s。
不考慮緩存加速，320MB/s的原始寫入性能已經(jīng)相當(dāng)可觀了，足以讓SSD性能重新超過(guò)HDD硬盤，并且跟TLC閃存一較高下，相關(guān)產(chǎn)品預(yù)計(jì)在明年上市。
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