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              東京理科大學(xué)納米壓印技術(shù)研究取得突破 紫外硬化納米壓印實現(xiàn)10納米以下分辨率

              2022-08-23 10:59:00    來源:愛集微

              東京理科大學(xué)(TUS)學(xué)者日前在納米壓印技術(shù)研究上取得突破,實現(xiàn)了紫外硬化納米壓印(UV-NIL)創(chuàng)建 10 納米以下分辨率形貌的突破。

              UV-NIL 技術(shù)由于不需要高溫高壓條件,是一種備受矚目的納米壓印技術(shù)方向,具有低成本制備媲美光學(xué)光刻質(zhì)量圖形的潛力,但此前受制于對光刻膠材料原子尺度特性的理解,難以實現(xiàn)小于 10 納米分辨率,而 TUS 學(xué)者 Tadashi Ando 帶領(lǐng)的團隊基于對分子動力學(xué)模擬,闡明了光刻膠分子成分與壓印過程的作用機制,發(fā)現(xiàn)并驗證了適用于 UV-NIL 工藝的光刻膠材料。

              Ando 表示,該團隊研究成果可為未來選擇與設(shè)計優(yōu)化光刻膠材料提供指導(dǎo),最終實現(xiàn) 10 納米以下分辨率 UV-NIL 工藝的實用化。

              關(guān)鍵詞: 東京理科大學(xué) 納米壓印技術(shù) 紫外硬化納米壓印 高溫高壓條件

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