美國公司推出新型芯片布線技術 能夠大幅減少芯片內(nèi)阻

美國公司 Applied Materials(應用材料公司)今日宣布了一項新的半導體芯片布線技術，可以用于 3nm 制程工藝，能夠大幅減少芯片內(nèi)阻，從而提高效率，減小發(fā)熱。

官方表示，目前芯片多使用通孔在芯片中布線，隨著制程提升，這種方式可以使得連接電阻增加 10 倍，從而抵消制程進步帶來的優(yōu)勢。

據(jù)IT之家了解，新的布線方法名為 Endura Copper Barrier Seed IMS，使用銅材質(zhì)填充通孔，采用了 7 項工藝和方法來實現(xiàn)。具體方法包括表面處理、定向 ALD 沉積、PVD、 CVD、銅回流等，可以在狹窄的縫隙內(nèi)填充銅元素，使得電阻降低 50% 以上。

應用材料公司半導體產(chǎn)品部高級副總裁 Prabu Raja 表示，“智能手機芯片具有數(shù)百億條銅連接線，布線的內(nèi)阻消耗了芯片三分之一功率。這項技術在真空中進行加工，集成多項技術，重新設計材料和結(jié)構，可以使得電子產(chǎn)品獲得更長的續(xù)航時間。”