射頻器件是無線通信的核心部件，包括射頻開關、LNA、功率放大器和濾波器等。其中功率放大器是對信號進行放大的器件，直接影響著基站信號傳輸距離及信號質量。硅基 LDMOS 器件已經應用多年，但主要應用于 4GHz 以下的低頻領域。
5G 通訊高頻、高速和高功率的特點對功率放大器性能也提出了更高的要求，碳化硅基氮化鎵具有良好的導熱性能、高頻率、高功率等優勢，成為 5G 移動通訊系統、新一代有源相控陣雷達等系統的核心射頻器件，有望替代硅基 LDMOS。根據 Yole 的預測，2025 年功率在 3W 以上的射頻器件中，砷化鎵器件市場份額保持不變，碳化硅基氮化鎵將替代大部分硅基 LDMOS，占市場 50% 左右的份額。
根據 Yole 的報告，預計全球氮化鎵射頻器件市場規模將持續增長，預計從 2019 年的 7.4 億美元增長至 2025 年的 20 億美元，年化復合增速達 18%。半絕緣型碳化硅襯底需求有望受益。
