【TechWeb】3月15日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在連續(xù)3年增長(zhǎng)之后，全球NAND閃存行業(yè)的資本支出，在今年將繼續(xù)增加，并會(huì)創(chuàng)下新高。

從研究機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)來(lái)看，全球NAND閃存行業(yè)今年的資本支出，將達(dá)到299億美元，較去年的277億美元增加22億美元，同比增長(zhǎng)8%。

同比繼續(xù)增長(zhǎng)，也就意味著全球NAND閃存行業(yè)今年的資本支出，將超過(guò)2018年的278億美元，創(chuàng)下新高。

研究機(jī)構(gòu)在報(bào)告中指出，2017年開(kāi)始，全球閃存行業(yè)開(kāi)始向3D NAND閃存過(guò)渡，這也推動(dòng)行業(yè)的資本支出大幅增加，2017年增至272億美元，同比增長(zhǎng)高達(dá)89%，隨后一年增速放緩，但仍增長(zhǎng)了2%，達(dá)到278億美元。

雖然2019年全球NAND閃存行業(yè)的營(yíng)收同比大幅下滑，但仍在200億美元之上，延續(xù)了2017年之后超過(guò)200億美元的勢(shì)頭。

值得注意的是，在研究機(jī)構(gòu)的預(yù)期中，今年全球NAND閃存行業(yè)8%的資本支出增速，明顯低于去年的13%，較2020年的9%也有放緩，明年的增速，可能會(huì)繼續(xù)放緩。

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