在“碳中和”背景下，大力發(fā)展太陽能(000591)、光伏等清潔能源產(chǎn)業(yè)已是大勢所趨。作為這些領(lǐng)域的核心電子元器件，功率半導(dǎo)體器件IGBT在光伏、新能源等領(lǐng)域的應(yīng)用極為廣泛。
從產(chǎn)業(yè)宏觀角度看，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在電子、能源行業(yè)的眾多細分領(lǐng)域均都有廣泛應(yīng)用，產(chǎn)品類型包括：集成電路、功率分立器件、其他器件等。過去十多年，作為國內(nèi)老牌PE投資機構(gòu)，九鼎投資(600053)沿半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈投資了大量細分領(lǐng)域的優(yōu)秀企業(yè)。
今天，當(dāng)我們從電子時代走向智能世紀，半導(dǎo)體作為核心部件和我國的短板產(chǎn)業(yè)，在未來十年仍然處于高速成長期。在近期的一份半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資研究中，九鼎投資指出，隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的第三次轉(zhuǎn)移，中國市場將成為IGBT產(chǎn)業(yè)增長和產(chǎn)能遷移的重要因子。
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），即絕緣柵型雙極型晶體管，相當(dāng)于一個非通即斷的開關(guān)，可以調(diào)節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、相位等，保證電力設(shè)備或電子產(chǎn)品正常運行，并能實現(xiàn)高效節(jié)能效果；是國際公認的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，也是當(dāng)前功率器件領(lǐng)域進入門檻最高的細分賽道。
九鼎投資在行業(yè)研究中表示，分立器件的眾多產(chǎn)品中，IGBT產(chǎn)品與其他相比，具有易于驅(qū)動、開關(guān)速度快、損耗低等特點。憑借卓越的性能和快速的產(chǎn)業(yè)化速度，IGBT不僅在工業(yè)應(yīng)用中逐漸取代了MOSFET和BJT，也已擴展到SCR及GTO占優(yōu)勢的大功率應(yīng)用領(lǐng)域，還滲透至消費電子領(lǐng)域。
目前，IGBT已廣泛應(yīng)用于電壓超過650V的高功率場景，如家用電器、智能電網(wǎng)、新能源汽車、軌交等領(lǐng)域，屬于功率器件中最具發(fā)展前景的賽道，在工業(yè)應(yīng)用中提高了設(shè)備的自動化水平、控制精度等，也大幅提高了電能的應(yīng)用效率，同時減小了產(chǎn)品體積和重量，節(jié)約了材料，未來應(yīng)用空間廣闊。
從全球半導(dǎo)體發(fā)展區(qū)域分布來看，美國、日本、歐洲、亞太地區(qū)是半導(dǎo)體產(chǎn)品的主要市場。
九鼎投資認為，隨著近年來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)轉(zhuǎn)移，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐漸從美國向其他地區(qū)轉(zhuǎn)移。隨著未來中國等國家的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，有望成為推動半導(dǎo)體行業(yè)保持穩(wěn)定增長的全新動力(310328)。
我國半導(dǎo)體行業(yè)的市場需求不斷擴大。2011年，我國半導(dǎo)體行業(yè)的市場需求規(guī)模約為9,238.8億元；2018年，市場需求規(guī)模達到18,731.6億元（折合約2800億美元），市場需求的年均復(fù)合增長率達10.63%。
在技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化積累上，盡管功率二極管、功率三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實現(xiàn)國產(chǎn)化，但IGBT等幾類產(chǎn)品較大程度上依賴進口，仍存在巨大的國產(chǎn)替代空間。目前，國內(nèi)IGBT市場主要由英飛凌、三菱電機、富士電機等海外廠商占據(jù)。
由于行業(yè)存在技術(shù)門檻較高、人才匱乏、市場開拓難度大、資金投入較大等困難，國內(nèi)企業(yè)在產(chǎn)業(yè)化進程中一直進展緩慢。未來，隨著全球制造業(yè)向中國的轉(zhuǎn)移，中國已逐漸成為全球最大的IGBT市場，國產(chǎn)化替代已是刻不容緩。
如今，在市場需求的吸引下，一批具備IGBT相關(guān)經(jīng)驗的海外華人歸國投身IGBT行業(yè)。同時，國家大量資金流入IGBT行業(yè)，我國IGBT產(chǎn)業(yè)化水平已經(jīng)逐漸有了一定提升，部分企業(yè)已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)。在產(chǎn)業(yè)政策和市場需求的驅(qū)動下，IGBT國產(chǎn)化進程還將進一步加速啟動。
關(guān)鍵詞： IGBT
